近期,小E整理自家數據庫發現,5G時代的射頻芯片似乎有著不小的變化。小E翻閱自家數據庫,發現追溯到2020年發布的OPPO K7x時,國產射頻芯片就已經出現過了。
今天拆解的這款三星Galaxy A22 5G似乎也證實了國產的射頻芯片已經不僅僅在國產手機中使用了。

本文圖源eWisetech
E拆解
首先關機取出卡托,塑料后蓋通過熱風槍加熱,然后利用吸盤和撬片打開,后蓋左右兩端各貼有1塊泡棉,起到緩沖作用。塑料卡托支持同時插入兩張Nano-SIM卡和一張SD卡,最高支持1TB擴展。

PC材質的后端蓋通過螺絲和卡扣固定,指紋識別模塊則是卡在后端蓋的凹槽內。后置攝像頭蓋通過卡扣固定在后端蓋上,這還是比較少見的,一般都是通過膠固定。

后端蓋上下兩端共集成有8根FPC天線。

取下通過螺絲固定的揚聲器,主板、副板,以及主副板連接軟板、前后攝像頭和射頻同軸線。沒有被取消的耳機孔位于整機底部和USB Type-C接口一樣都采用黑色硅膠套起到防塵作用。

主板正反面貼有大面積銅箔散熱,屏蔽罩內CPU和內存閃存位置處涂有導熱硅脂。

沒有采用易拉膠或者易拉膠紙固定的電池,直接通過膠固定,電池拆解后變形嚴重。

取下通過膠固定的聽筒、振動器、側鍵軟板和揚聲器轉接板。最后通過加熱臺分離屏幕和內支撐,內支撐正面只有頂部處貼有石墨片。

屏幕采用同興達6.6英寸2408x1080分辨率的TFT屏。

主板ic信息
主板正面主要IC(下圖):

1:Media Tek-MT6833V-天璣700 八核處理器
2:Samsung-KMDP6001DA-B425-4GB內存+64GB閃存
3:Media Tek-MT6360UP-電源管理芯片
4:Media Tek-MT6631N- WiFi/BT/GPS/GLONASS/FM芯片
5:Silicon Integrated- SIA8109-智能音頻放大器
6:Smarter Micro-S15728- L-FEM
7:Smarter Micro-S55255-L-PAMiF
主板背面主要IC(下圖):

1:Media Tek-MT6365VPW-電源管理芯片
2:Media Tek-MT6190MV-射頻收發器
3:2顆Smarter Micro-S15728- L-FEM
E分析
Galaxy A22 5G采用慧智微電子5G射頻前端方案,共包含4顆芯片模組。
據公開資料顯示,A22采用的是慧智微電子全球5G新頻段射頻前端解決方案,1顆S55255用于發射接收的n77/78/79 L-PAMiF和3顆S15728用于接收的n77/78/79 L-FEM。4顆芯片模組均為慧智微電子第二代5G射頻前端AgiFEM5G?2.0系列產品。

其中S55255是一顆集成PA、濾波器、LNA、SRS開關和射頻收發開關的射頻模組,幾乎是當前5G射頻前端最高集成水平。2顆甚至3顆同類芯片可以直接被封裝尺寸5.5x4.5mm的S55255替代。這樣不僅節省了PCB板布局空間,也能有效降低成本。
其實, 慧智微電子S55255這顆5G射頻芯片,在eWisetech曾拆解過的OPPO K7x中就已經使用過了,當時是eWiseTech拆解5G手機以來,首次見到國產射頻前端的應用。

總結信息
Galaxy A22 5G的整機內部結構簡單,拆解比較容易。值得特別注意的就是整機內用了多顆國產芯片。尤其是5G射頻方案上,直接采用了慧智微電子的高集成度5G L-PAMiF射頻模組,全套5G新頻段解決方案。
4G時代Skyworks、Avago、村田和高通等國外公司占據了大部分的射頻前端市場,但到了5G時代就有所變化了。這或許也從側面證實了射頻產業的市場慢慢發生了變化。5G時代的來臨為國內的射頻產業攫得新機。(編:Judy)

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手機:OPPO K7x
手機適配器:iQOO 120W快充適配器
智能家居:AirTag
智能穿戴:Redmi - AirDots3
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和特點 工作頻率范圍:1.5 GHz至2.4 GHz 幅度控制范圍:30 dB 笛卡爾I/Q基帶頻率范圍:DC至230 MHz 輸出三階交調截點:+17.5 dBm 相位控制范圍:360° 輸出1dB壓縮點:+8.5 dBm 輸出開關禁用功能 5V單電源 與AD8340引腳兼容 產品詳情 單芯片RF振幅與移相器AD8341是一款高性能RF矢量調制器,輸入頻率范圍為1.5 GHz至2.4 GHz,可連續、獨立地調整振幅和相位。通過寬帶笛卡爾I/Q接口,可實現完整的360°相位調整和30 dB以上的增益控制。I和Q接口提供230 MHz的全功率信號帶寬,可通過單端或差分方式驅動,具有±500 mV滿量程輸入。AD8341采用24引腳LFCSP封裝,額定溫度范圍為–40°C至+85°C。供貨提供樣片和評估板,產品型號分別為AD8341ACP和AD8341-EVAL。同類產品AD8302 - 低頻至2.7 GHz RF/IF增益相位檢波器AD8340 - RF矢量調制器,700 MHz至1000 MHz其它調制器/解調器產品AD8345 - 250 MHz至1000 MHz低噪聲RF/IF調制器AD8346 - 800 MHz至2.5 GHz低功耗直接上變頻調制器AD8347 - 800 MHz至2.7 GHz直接變頻解調器AD8348 - 50 MHz至1000 MHz RF/IF正交解調器AD...
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和特點 具有線性度的肖特基二極管檢波器 寬帶50 Ω輸入阻抗 具有最小斜率變化的精確響應范圍:0.5 GHz至43.5 GHz 輸入范圍:?30 dBm至+15 dBm,參考50 Ω 出色的溫度穩定性 2.1 V/VPEAK(輸出電壓根據輸入峰值電壓)斜率(10 GHz) 快速包絡帶寬: 40 MHz 快速輸出上升時間: 4 ns 低功耗: 1.6 mA (5.0 V) 2 mm x 2 mm、6引腳LFCSP封裝 產品詳情 ADL6010是一款多功能微波頻譜寬帶包絡檢波器, 以單個易于使用的6引腳封裝提供一流的精度和極低的功耗(8 mW)。 該器件輸出的基帶電壓與射頻(RF)輸入信號的瞬時幅度成正比。 它的RF輸入具有非常小的斜率變化,以便包絡從0.5 GHz到43.5 GHz的輸出傳遞函數檢波器單元使用專利的八肖特基二極管陣列,后接新穎的線性化電路,可創建相對于輸入電壓幅度,總比例因子(或傳遞增益)標稱值為?2.2的線性電壓表雖然ADL6010本質上并不是一款功率響應器件,但以這種方式指定輸入依然是很方便的。 因此,相對于50 ?源輸入阻抗,允許的輸入功率范圍為?30 dBm至+15 dBm。 對應的輸入電壓幅度為11.2 mV至1.8 V,產生范圍從25 mV左右到4 V以上共模(COMM)的準直流輸出。平衡檢波器拓撲...
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和特點 低插入損耗(2 GHz):1.1dB 單正電源:Vdd = +5V 集成式3:8 TTL解碼器 24引腳QSOP封裝 產品詳情 HMC253AQS24和HMC253AQS24E均為低成本非反射SP8T開關,采用24引腳QSOP封裝,寬帶工作頻率范圍為DC至2.5 GHz。該開關提供單正偏置和真TTL/CMOS兼容性。該開關上集成了3:8解碼器,僅需三個控制線和一個正偏置即可選擇每個路徑。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T將替代SP4T和SPDT MMIC開關的多種配置。應用 CATV/DBS CDMA 蜂窩/PCS 方框圖...
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和特點 低RMS相位誤差: 1.5° 低插入損耗: 4 dB 高線性度: +50 dBm 正控制邏輯 360°覆蓋,LSB = 5.625° 28引腳QFN無引腳SMT封裝: 36mm2產品詳情 HMC647ALP6E是一款6位數字移相器,額定頻率范圍為2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆蓋,LSB為5.625度。 HMC647ALP6E在所有相態具有1.5度的極低RMS相位誤差及±0.4 dB的極低插入損耗變化。 此款高精度移相器通過0/+5V的正控制邏輯控制。HMC647ALP6E采用緊湊型6x6 mm塑料無引腳SMT封裝,內部匹配50 Ohms,無需任何外部元件。 應用 EW接收器 氣象和軍用雷達 衛星通信 波束成形模塊 相位抵消 方框圖...
發表于 02-22 12:07 ?
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和特點 RF輸出頻率范圍:17 GHz至24 GHz IF輸入頻率范圍:2 GHz至4 GHz LO輸入頻率范圍:8GHz至12 GHz,集成2×乘法器 邊帶抑制:32 dB(下邊帶) P1dB:25 dBm 增益調節:30 dB 輸出IP3:33 dBm 匹配50 ? RF輸出、LO輸入和IF輸入 32引腳、4.9 mm × 4.9 mm LCC封裝 產品詳情 ADMV1011是一款采用緊湊的砷化鎵(GaAs)設計、單芯片微波集成電路(MMIC)、雙邊帶(DSB)上變頻器,采用符合RoHS標準的封裝,針對工作頻率范圍為17 GHz至24 GHz的點對點微波無線電設計進行優化。ADMV1011提供21 dB的轉換增益,具有針對下邊帶和上邊帶的32 dBc和23 dBc邊帶抑制性能。ADMV1011采用射頻(RF)放大器,前接由驅動放大器驅動集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)雙平衡混頻器。還提供IF1和IF2混頻器輸入,需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。I/Q混頻器拓撲結構則降低了干擾邊帶的濾波要求。ADMV1011為混合型DSB上變頻器的小型替代器件,它無需線焊,可以使用表貼制造裝配。ADMV1011上變頻器采用緊湊的散熱增強型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封裝。ADMV1011工作溫度范圍為?40°C至+85°...
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和特點 高性能有源混頻器 寬帶操作,頻率最高達2.5 GHz 轉換增益:7 dB 輸入IP3:16.5 dBm LO驅動:–10 dBm 噪聲系數:14 dB 輸入P1dB:2.8 dBm 差分LO、IF和RF端口 50 Ω LO輸入阻抗 單電源供電:5 V(50 mA,典型值) 省電模式:20 μA(典型值)產品詳情 AD8343是一款高性能、寬帶有源混頻器,具有極低交調失真,所有端口均具有寬帶寬,非常適合要求嚴格的發射應用或接收通道應用。AD8343的典型變頻增益為7 dB。集成的LO驅動器以低LO驅動電平,支持50 Ω差分輸入阻抗,有助于將外部元件數降至最少。開發差分輸入可以直接與差分濾波器接口,或通過平衡-不平衡變換器(變壓器)驅動,由單端源提供平衡驅動。開集差分輸出可以用來驅動差分中頻信號接口,或通過匹配網絡或變壓器轉換為單端信號。以VPOS電源電壓為中心時,輸出擺幅為±1 V。LO驅動器電路的典型功耗為15 mA??衫脙蓚€外部電阻來設置混頻器內核電流,以達到要求的性能,總電流為20 mA至60 mA。采用5 V單電源供電時,相應的功耗為100 mW至300 mW。AD8343采用ADI公司的高性能25 GHz硅雙極性IC工藝制造,提供14引腳TSSOP封裝,工作溫度范圍為?...
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和特點 超低功耗、高性能收發器 工作頻段862 MHz至928 MHz431 MHz至464 MHz 支持的數據速率:1 kbps至300 kbps 電源電壓范圍:2.2 V至3.6 V 單端和差分PA 中頻帶寬可編程的低中頻接收機:100 kHz、150 kHz、200 kHz、300 kHz 接收機靈敏度(BER)?116 dBm(1.0 kbps,2FSK、GFSK)?107.5 dBm(38.4 kbps,2FSK、GFSK)?102.5 dBm(150 kbps,GFSK、GMSK)?100 dBm(300 kbps,GFSK、GMS)?104 dBm(19.2 kbps,OOK) 極低功耗 RF輸出功率范圍:?20 dBm至+13.5 dBm(單端PA) 欲了解更多特性,請參考數據手冊產品詳情 ADF7023是一款工作在862 MHz至931 MHz和431 MHz至464 MHz頻段的極低功耗、高集成度2FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收發器,這些頻段覆蓋免許可的433MHz、868MHz和915MHz ISM頻段。它適合歐洲ETSI EN300-220、北美FCC (Part 15)、中國短程無線監管標準或其它類似地區標準下的電路應用。支持1 kbps至300 kbps的數據速率。發射RF頻率合成器包含一個VCO和一個輸出通道頻率分辨率為400 Hz的低噪聲小數N分頻鎖相環(PLL)。VCO的工作頻...
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和特點 1.0 dB LSB步進至31 dB 每位單正控制線 誤碼率:±1.0 dB(典型值) 輸入IP3: 43 dBm CMOS兼容控制 密封模塊 可現場更換的K型連接器 工作溫度: -55℃至+85℃ 產品詳情 HMC-C584是一款0.1 GHz至40 GHz、5位、砷化鎵(GaAs) IC數字衰減器,封裝在微型密封模塊中。 這款寬帶衰減器具有7 dB的典型插入損耗和43 dBm的輸入IP3,位值為1 dB (LSB)、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB,總衰減范圍為31 dB。 該器件的衰減精度很高,典型步長誤差為±1.0 dB。 五個控制電壓輸入在0 V和5 V之間切換,用于選擇每個衰減狀態。 可移除的K型連接器可以拆卸,以便將模塊的輸入/輸出引腳直接連接到微帶或共面電路。應用 光纖和寬帶電信 微波無線電和VSAT 軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM) 空間系統 測試儀器儀表 方框圖...
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和特點 集成小數N分頻PLL的接收混頻器 RF輸入頻率范圍:300 MHz至2500 MHz 內部LO頻率范圍:750 MHz至1160 MHz 輸入P1dB:14.5 dBm 輸入IP3:31 dBm 通過外部引腳優化IIP3 SSB噪聲系數IP3SET引腳斷開:13.5 dBIP3SET引腳接3.3 V電壓:14.6 dB 電壓轉換增益:6.7 dB 200 Ω IF輸出匹配阻抗 IF 3 dB帶寬:500 MHz 可通過三線式SPI接口進行編程 40引腳、6 mm × 6 mm LFCSP封裝 產品詳情 ADRF6601是一款高動態范圍有源混頻器,集成鎖相環(PLL)和壓控振蕩器(VCO)。PLL/頻率合成器利用小數N分頻PLL產生fLO輸入,供給混頻器?;鶞瘦斎肟梢赃M行分頻或倍頻,然后施加于PLL鑒頻鑒相器(PFD)。PLL支持12 MHz至160 MHz范圍內的輸入基準頻率。PFD輸出控制一個電荷泵,其輸出驅動一個片外環路濾波器。然后,環路濾波器輸出施加于一個集成式VCO。VCO輸出(2 × fLO)再施加于一個LO分頻器和一個可編程PLL分頻器??删幊蘌LL分頻器由一個Σ-Δ調制器(SDM)進行控制。SDM的模數可以在1至2047范圍內編程。有源混頻器可將單端50 Ω RF輸入轉換為200 Ω差分IF輸出。...
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和特點 集成小數N分頻PLL的I/Q調制器 RF輸出頻率范圍: 400 MHz至3,000 MHz 內部LO頻率范圍: 356.25 MHz至2855 MHz 輸出P1dB: 10.8 dBm (2140 MHz) 輸出IP3: 31.1 dBm (2140 MHz) 載波饋通: ?44.3 dBm (2140 MHz) 邊帶抑制: -40.8 dBc(2,140 MHz) 噪底: ?159.5 dBm/Hz (2140 MHz) 基帶1 dB調制帶寬: >1000 MHz 基帶輸入偏置電平: 2.68 V 電源: 3.3 V /425 mA 集成式RF可調諧巴倫,允許單端RF輸出 多核集成式VCO HD3/IP3優化 邊帶抑制和載波饋通優化 高端/低端LO注入 可通過三線式串行端口接口(SPI)進行編程 40引腳6 mm x 6 mm LFCSP封裝 產品詳情 ADRF6720-27是一款集成頻率合成器的寬帶正交調制器,非常適合用于3G和4G通信系統。 ADRF6720-27內置一個高線性度寬帶調制器、一個集成式小數N分頻鎖相環(PLL),以及四個低相位噪聲多核壓控振蕩器(VCO)。 ADRF6720-27本振(LO)信號可從內部通過片內整數N分頻或小數N分頻頻率合成器產生,也可從外部通過高頻、低相位噪聲LO信號產生。 內部集成式頻率合成器利用多核VCO,實現356.25 MHz到28...
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和特點 寬帶、雙通道、有源下變頻混頻器 低失真、快速建立、IF DGA RF輸入頻率范圍:690 MHz至3.8 GHz RF輸入端的可編程巴倫 差分和單端LO輸入模式 差分IF輸出阻抗:100 ? 可通過三線式串行端口接口(SPI)進行編程 對于RF=1950 MHz、IF=281 MHz、高線性度模式: 電壓轉換增益,包括IF濾波器損耗:?5至+26.5 dB (更多詳細信息,請參見數據手冊) 靈活的省電模式,針對低功耗操作 通道使能后的上電時間:100 ns,典型值 3.3 V單電源 高線性度模式:440 mA 低功耗模式:260 mA 產品詳情 ADRF6658是一款高性能、低功耗、寬帶、雙通道無線電頻率(RF)下變頻器,集成中頻(IF)數字控制放大器(DGA),適用于寬帶、低失真基站無線電接收機。 雙通道Rx混頻器為雙平衡吉爾伯特單元混頻器,具有高線性度和出色的圖像抑制能力。 兩款混頻器均可將50 Ω RF輸入轉換為開集寬帶IF輸出。 在混頻器輸入前,RF輸入端的內部可調諧巴倫可抑制RF信號諧波并衰減帶外信號,從而減少輸入反射和帶外干擾信號。 靈活的本振(LO)架構允許使用差分或單端LO信號。 雙通道IF DGA基于ADL5201和ADL5202,固定差分輸出...
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和特點 頻段:57 - 64 GHz RF信號帶寬:最高達1.8 GHz 針對1 dB壓縮的輸出功率:15 dBm 增益:5 - 35 dB 數字和模擬RF和IF增益控制 集成頻率合成器 集成鏡像抑制濾波器 部分外置的環路濾波器 支持外部LO 片內溫度傳感器 支持256-QAM調制 集成MSK調制器 通用模擬I/Q基帶接口 三線式串行數字接口 符合RoHS標準的65引腳晶圓級球柵陣列封裝 產品詳情 HMC6300BG46是一款完整的毫米波發射器集成電路,采用符合RoHS標準的6 mm x 4 mm晶圓級球柵陣列(WLBGA)封裝,工作頻率范圍為57 GHz至64 GHz,調制帶寬高達1.8 GHz。集成式頻率合成器在250、500或540 MHz步長下進行調諧,具有出色的相位噪聲,支持高達64-QAM的調制?;蛘?,可以注入外部LO,它支持用戶可選LO特性或相位相干發射和接收操作以及高達256-QAM的調制。通過通用模擬基帶IQ接口提供對各種調制格式的支持。發射器芯片還支持專用FSK、MSK、OOK調制格式,從而實現更低成本和功耗的串行數據鏈路,而無需使用高速數據轉換器。差分輸出向100 Ω負載提供高達15 dBm的線性輸出功率。同時支持單端操作,最高12 dBm。與HMC6301BG46一起,完整的60 G...
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